心系中华——记原籍乐山的美国半导体科学家张瑞夫

发明日本管砷发射极 1970年,在华盛顿召开的一次国际科学大会上,一位气宇轩昂的华人科学家登上讲台。郑重宣布由他发明以砷代磷制造的平面式晶体管发射极,已于1967年取得了成功。这一保密了三年的半导体科技史上的重大发明,震动了全世界的半导体科学界。砷发射极的大量生产,使集成电路的速度提高了数倍,密度亦大大增加,促进了计算机产业的迅速发展,至今仍然广泛地应用于各类电脑上。