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| 三端微波器件专利申请态势分析 | |
| 引用本文： | 白志昀,赵学武.三端微波器件专利申请态势分析[J].电子知识产权,2008(8):58-61,66. |
| 作者姓名： | 白志昀 赵学武 |
| 作者单位： | 信息产业部电子知识产权咨询服务中心 |
| 摘 要： | 对微波器件中的主要三端微波器件（包括HBT、HEMT、MESFET）在全球范围内的井露关专利申请进行了统计。着重对主要申请人、申请国和审查国的专利申请分布进行了静态分析。并使用时间序列分析法对主要申请人、申请国和审查国历年的专利申请分布状况进行动态分析，最终给出了国内相关产业发展的建议。 |
| 关 键 词： | 微波器件 专利申请人 申请国 审查国 |
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