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| 砷化铟可替代硅制造未来电子设备 | |
| 摘 要： | 据美国物理学家组织网报道,美国能源部劳伦斯伯克利国家实验室和加州大学伯克利分校的科学家成功地将厚度仅为10纳米的超薄半导体砷化铟层集成 |
| 关 键 词： | 国家实验室 物理学家 劳伦斯 半导体材料 首席科学家 制造 电子设备 加州大学 砷化铟 伯克利分校 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |
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